2018年2月28日 – 推進高能效立異的安森美半導體 (ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650 V碳化硅（SiC）肖特基二極管系列產物，擴大了SiC二極管產物組合。這些二極管的尖端碳化硅技巧供給更高的開關機能、更低的功率消耗，并輕松完成器件并聯。

安森美半導體最新宣布的650 V SiC 二極管系列供給6安培（A）到50 A的外面貼裝和穿孔封裝。一切二極管均供給零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩固性、高浪涌容量和正溫度系數。

工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中間電源等各類運用的PFC和升壓轉換器時，常常面臨在更小尺寸完成更高能效的挑釁。這些全新的二極管能為工程師處理這些挑釁。

這些650 V器件供給的體系優勢包含更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的靠得住性。其固有的低正向電壓（VF）及SiC二極管的無反向恢來電荷能削減功率消耗，因此進步能效。SiC二極管更快的恢復速度令開關速度更高，是以可以縮減磁性元件和其他無源元件的尺寸，完成更高的功率密度和更小的全體電路設計。另外，SiC二極管可蒙受更高的浪涌電流，并在 -55至 +175°C的任務溫度規模內供給穩固性。

安森美半導體的SiC肖特基二極管具有奇特的專利終端構造，增強靠得住性并晉升穩固性和耐用性。另外，二極管供給更高的雪崩能量、業界最高的非鉗位感應開關（UIS）才能和最低的電流泄露。

安森美半導體MOSFET營業部高等副總裁兼總司理Simon Keeton表現：“安森美半導體新推出的650 V SiC二極管系列與公司現有的1200 V SiC器件相反相成，為客戶帶來更普遍的產物規模。SiC技巧應用寬帶隙(WBG) 資料的奇特特征，比硅更實惠，其穩健的構造為嚴苛情況中的運用供給靠得住的計劃。我們的客戶將受害于這些簡化的、機能更佳、尺寸設計更小的新器件。”

封裝與訂價

650 V SiC二極管器件供給DPAK、TO-220和TO-247封裝，每千件的單價為1.30美元至14.39美元。

欲懂得更多安森美半導體SiC產物組合若何完成更高的能效和靠得住性，請拜訪碳化硅 (SiC) 產物網頁，和博客《碳化硅二極管的最低功率消耗可完成最高功率密度》。

迎接蒞臨安森美半導體在美國APEC #601號展臺，不雅看SiC MOSFET和二極管的現場演示，展現安森美半導體最新的仿真建模技巧若何準確地婚配真實的器件任務。