三菱機電股份有限公司此次推出采取了SiC※1的功率半導體新產物“SiC-SBD※2”，新產物為有用下降用于空調及太陽能發電中的家電工業用電源體系的耗電量、減少其體積做出了進獻。該產物將于3月1日起陸續出售。

※1 Silicon Carbide：碳化硅

※2 Schottky Barrier Diode：肖特基勢壘二極管

新產物的特色

1．經由過程采取SiC，為下降耗電量、減少體積做出進獻

經由過程應用SiC年夜幅下降開關消耗，下降約21％的電力消耗※3

完成高速開關，為減少電抗器等配套零部件的體積做出進獻

※3　與內置PFC電路的三菱機電產物功率半導體模塊“DIPPFCTM”上搭載的Si（硅）二極管比擬

2．經由過程采取JBS構造，進步靠得住性

采取pn結與肖特基結相聯合的JBS※4構造

經由過程JBS構造進步浪涌電流耐量，從而進步靠得住性

※4　Junction Barrier Schottky

出售概要

發賣目的

最近幾年來，出于節能環保的斟酌，人們對可以或許年夜幅下降電力消耗或應用SiC完成高速開關的功率半導體的等待逐步低落。三菱機電自2010年起陸續推出了搭載SiC-SBD、SiC-MOSFET※5的SiC功率半導體模塊，普遍運用于空調和工業機械、鐵路車輛的逆變器體系等，為下降家電及工業機械的耗電量，減少其體積和分量做出了進獻。

在這一配景下，此次將出售采取了SiC的功率半導體“SiC-SBD”。搭載在電源體系中的“SiC-SBD”，將為下降客戶的體系耗電量，減少體積做出進獻。

本產物的開辟部門獲得了日本“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”的支撐。

※5　metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金屬氧化物半導體場效應晶體管

重要規格

※6　8.3msec, sine wave